磊晶區
本公司使用MOCVD技術生產磊晶片，標準的磊晶片尺寸為4英吋，也可以接受2吋3吋與6吋的客製訂單。
本公司現有標準產品為GaInP/GaAs/Ge三接面太陽電池磊晶片、GaInP/GaAs二接面太陽電池磊晶片與GaAs 單接面太陽電池磊晶片，也接受客製化太陽電池磊晶片訂單。
- 介紹
MOCVD - 技術簡介
有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。
其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM"，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為金屬化合物 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。
MOCVD - 技術優點
(1)可以用來生長各類化合物半導體
(2)可以生長高品質的材料
(3)可以生長薄磊晶層
(4)可以生長異質結構
(5)大面積的均勻性良好適合大規模生產
有機金屬化學氣相沉積法(MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition)，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。
其他類似的名稱如：MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy)、OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition)等等，其中的前兩個字母 "MO" 或是 "OM"，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源(precusor)為金屬化合物 "Metal-organic" 或是有機金屬化合物。
MOCVD - 技術優點
(1)可以用來生長各類化合物半導體
(2)可以生長高品質的材料
(3)可以生長薄磊晶層
(4)可以生長異質結構
(5)大面積的均勻性良好適合大規模生產
