太陽能晶片

1. Front and back contacts are weldable or solderable
2. Cells are fully tested under AM1.5D illumination

1. Front and back contacts are weldable or solderable
2. Cells are fully tested under concentrated illumination

1. Triple junction solar cell (InGaP/InGaAs/Ge)
2. Front and back contacts are weldable or solderable.
3. Cells are 100% tested under AM0 illumination

1. Growth by MOCVD tech.
2. High efficiency, triple junction solar cell, with n-on-p polarity on Ge substrate

1.通過IEC檢測
2.已經商業化應用並建置多個高聚光太陽能電站

潔淨度Class 1000 之黃光室，具備光阻塗佈、對準曝光、顯影、烤箱、Spin dryer、Hot N2 dryer等完整之製程。
從2吋、4吋、到6吋之晶圓，皆可製作。

配合不同的製程需求，有酸性蝕刻，鹼性蝕刻，有機清洗，有機光阻去除等完整之濕蝕刻製程，並搭配Spin dryer、Hot N2 dryer，確保晶片無水漬殘留。

金屬鍍膜採用電子束加熱蒸鍍(E-gun Evaporation Deposition)，厚度均勻度控制良好之量產型機台，蒸鍍角控制近垂直之角度，lift-off製程之金屬成型角度(metal profile)達到80度以上，並搭配快速升降溫之褪火製程，可減少對磊晶層之熱效應。

使用日本進口之鑽石切割機，精準控制切割寬度、深度，能穩定在良好的切割品質，降低晶粒缺角、破裂之發生機率，並降低熱效應。

太陽能電池測試使用太陽光模擬器，可量測晶粒及接收器之光電轉換效率，量測之太陽光強度可從1倍至2000倍，並自行開發量子效率之量測儀器，可量測太陽光譜不同波長之量子效率。

本公司使用MOCVD技術生產磊晶片，標準的磊晶片尺寸為4英吋，也可以接受2吋3吋與6吋的客製訂單。
本公司現有標準產品為GaInP/GaAs/Ge三接面太陽電池磊晶片、GaInP/GaAs二接面太陽電池磊晶片與GaAs 單接面太陽電池磊晶片，也接受客製化太陽電池磊晶片訂單。